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更新日期:2024-03-18
簡要描述:
日本ae-mic用于超高速芯片電阻檢測AE-162DD,F(xiàn),G,J,K類,切屑,熔體,徑向和軸向電阻器的分揀機(jī)和編帶機(jī)的理想選擇
日本ae-mic用于超高速芯片電阻檢測AE-162D
D,F(xiàn),G,J,K類,切屑,熔體,?徑向和軸向電阻器的?分揀機(jī)和編帶機(jī)的理想選擇
由于從模擬到數(shù)字的隔離而提高了抗噪聲能力,因此具有很高的穩(wěn)定性
與極小的芯片兼容(低功率測量)
超高速0.7毫秒(代表值)
通過靜態(tài)功率抵消測量實現(xiàn)高精度和高穩(wěn)定性
通過對每個范圍進(jìn)行測量值積分時間設(shè)置功能,實現(xiàn)超高速和高穩(wěn)定性測量
%測量:±99.99%[5mΩ-109MΩ]
測量:0.00mΩ?200.00MΩ
接觸檢查:測量前/測量后/ OFF
RS-232C接口標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備(GP-IB是可選的)
打印機(jī)輸出標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備(與Centronics兼容)
設(shè)置值傳送功能作為標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備:(相同的設(shè)置數(shù)據(jù)可以傳送到另一臺AE-162D并自動設(shè)置)
測量電流/測量電壓異常檢查電路的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備
校準(zhǔn)后180天[校準(zhǔn)后1年:1.5倍]的測量范圍和基本精度(環(huán)境溫度23°C±5°C)
日本ae-mic用于超高速芯片電阻檢測AE-162D
測量范圍 | 標(biāo)準(zhǔn)值設(shè)定范圍 | 實測電流 | 測量精度* | ||
---|---|---|---|---|---|
慢 | 快速 | ||||
100毫歐 | 5mΩ-100mΩ | 100毫安 | ≤±0.02%±2a±2d | ≤±0.03%±3a±2d±[2 /(1 + n)] d | |
1Ω | 100.1mΩ?1Ω | 100毫安 | 在±0.02%±a±1d之內(nèi) | ≤±0.02%±a±2d±[2 /(1 + n)] d | |
10Ω | 1.001Ω?10Ω | 50毫安 | |||
100Ω | 10.01Ω-100Ω | 10毫安 | ±0.02%±1d以內(nèi) | 在±0.02%±2d±[1 /(1 + n)] d之內(nèi) | |
1kΩ | 100.1Ω?1kΩ | 5毫安 | |||
10kΩ的 | 1.001kΩ?10kΩ | 0.5毫安 | |||
100kΩ的 | 10.01kΩ-100kΩ | 50微安 | |||
1兆歐 | 100.1kΩ?1MΩ | 5微安 | 在±0.05%±2d±[1 /(1 + n)] d之內(nèi) | ||
10兆歐 | 1.001MΩ?10MΩ | 0.5微安 | ±0.03%±1d以內(nèi) | 在±0.2%±4d±[1 /(1 + n)] d之內(nèi) | |
100兆歐 | 10.01MΩ?109MΩ | 0.05微安 | ±0.1%±2d以內(nèi) | ─── |
* D =數(shù)字,n =積分時間(毫秒),%測量:α=(100 /標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定值mΩ)x 0.01%,值測量:α= 0(加±1d)
*完整屏蔽狀態(tài)下的精度
測量時間 | 外部啟動 | 自由奔跑 | ||
---|---|---|---|---|
慢 | 快速 | 慢 | 快速 | |
大約18毫秒-400毫秒 | 大約0.7毫秒-400毫秒 | 約30次/秒? 約2次/秒 | 約60次/秒? 約2次/秒 |
測量端子開路電壓 | 15V以下 |
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測量結(jié)束信號(EOC)脈沖寬度 | 1到250毫秒,并且可以連續(xù)設(shè)置 |
測量方式 | 4端子測量/ 2端子測量可切換 |
判斷值設(shè)定范圍 | %測量:±99.99%,值測量:00000-20000 |
周邊環(huán)境 | 溫度:0°C至+ 50°C,濕度:80%以下 |
需要電源 | AC85V?265V,50Hz?60Hz,約50VA |
外形尺寸 | 333(w)x 99(H)x 300(D)mm(不包括橡膠腳等突起) |
重量 | 約3.5kg |
選項 | ? GP-IB |
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?數(shù)據(jù)傳輸線 | |
?短接(零歐姆標(biāo)準(zhǔn)電阻) | |
?轉(zhuǎn)換適配器(3P x2?5P) |