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更新日期:2024-03-22
簡要描述:
日本千野chino光纖式輻射溫度計IR-FA系列IR-FA系列是一種光纖傳輸型輻射溫度計,它通過光纖將小拇指大小的光收集部分捕獲的測量光(輻射能量)引導到容納在小型箱形主體中的檢測元件。聚光部分小,光纖傳輸靈活,適用于不能直接觀察的地方、狹窄的地方、有電感應失效風險的地方的測量。
類型 | 其他 | 產(chǎn)地 | 進口 |
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日本千野chino光纖式輻射溫度計IR-FA系列
IR-FA系列是一種光纖傳輸型輻射溫度計,它通過光纖將小拇指大小的光收集部分捕獲的測量光(輻射能量)引導到容納在小型箱形主體中的檢測元件。聚光部分小,光纖傳輸靈活,適用于不能直接觀察的地方、狹窄的地方、有電感應失效風險的地方的測量。
光纖可在不冷卻至MAX 150℃的情況下使用
光纖不導電,有利于在感應加熱和防爆環(huán)境中使用。
激光投影選項也可用于檢查測量點。
機身小巧輕便,可安裝在 DIN 導軌上。
備有低溫型、中高溫型、雙色型等多種機型。
模型 | 檢測元件 | 格式 |
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低溫 | 冷卻的 PbS | 紅外光譜儀 |
用于中高溫 | InGaAs | IR-FAI |
硅 | 紅外光譜 | |
雙色 | 砷化銦鎵/砷化銦鎵 | 紅外常見問題解答 |
硅/硅 | IR常見問題解答 | |
Si/InGaAs | 紅外常見問題解答 |
主體
格式 | 紅外-FAC | IR-FAI | 紅外光譜 | 紅外常見問題解答 | IR常見問題解答 | 紅外常見問題解答 | |
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測量方法 | 單色 | 雙色 | |||||
檢測元件 | 冷卻的 PbS | InGaAS | 硅 | 砷化銦鎵/砷化銦鎵 | 硅/硅 | Si/InGaAs | |
測量波長 | 2.0微米 | 1.55 微米 | 0.9 微米 | 1.55/1.35 微米 | 0.85/1.00 微米 | 1.55/0.9μm | |
準確率評估 | 70℃以上300℃以下:±4℃ 300℃以上500℃以下:±5℃ 500℃以上:測量值的±1.0% | 1000℃以下:±5℃ 1000℃以上1500℃以下:測定值的±0.5% 1500℃以上2000℃以下:測定值的±1% 2000℃ C以上:測量值的±2% | |||||
再現(xiàn)性 | 2℃以內(nèi) | 0.2℃ | |||||
溫度漂移 | 0.2℃/℃ | 測量值的 0.1°C 或 0.015%/°C,以較大者為準 | 測量值的 0.2°C/°C 或 0.02%/°C,以較大者為準 | ||||
解決 | 70℃以上且低于100℃:約3℃、 100℃以上且低于200℃:約2℃、200℃以上:約0.5℃ | 0.5℃ | 1.0℃ | ||||
響應時間 | 0.01秒 | 0.04s | |||||
發(fā)射率(比率)校正 | 發(fā)射率設定值:1.999~0.050*1 | 發(fā)射率設定值:1.999~0.050 | 發(fā)射率比設定值:1.999~0.050 | ||||
信號調(diào)制 | DELAY:平均值軌跡(平滑)調(diào)制深度0.0至99.9s,0.1s步進任意設置),調(diào)制深度0 = REAL, PEAK:最大值軌跡(調(diào)制深度0、2、5、10°C/s選擇設置) , 調(diào)制深度 0 = 峰值保持) | ||||||
顯示方式 | 4位液晶顯示(溫度顯示、參數(shù)顯示) | ||||||
模擬輸出 | 4 至 20 mA DC 隔離輸出(負載電阻 500 Ω 或更?。?/span> 額定精度:輸出范圍的 ±0.2% 輸出分辨率:輸出范圍的 0.01% 輸出 比例:可在測量溫度范圍內(nèi)任意設置 模擬輸出:0 至 0模擬輸出量 100%范圍內(nèi)任意設定 | ||||||
接點輸出 | 2點選擇,上限,下限,上上限,下下限報警,錯誤信號 光電耦合器30V DC,最大50mA | 1點,高(低)報警或錯誤信號。光電耦合器 30V DC,最大 50mA | |||||
接點輸入 | 1 點,峰值保持重置或樣本保持。干接點或集電極開路 | ||||||
用操作鍵設置參數(shù) | 操作員模式:發(fā)射率設置、信號調(diào)制、報警設置等 工程模式:輸出縮放、調(diào)零、跨度、用于自動發(fā)射率計算的參考溫度輸入、輸出校正設置、可選功能設置 | 操作員模式:發(fā)射率比、信號調(diào)制、報警等的設置 工程模式:輸出比例、零跨度、自動發(fā)射率比計算的參考溫度輸入、輸出校正等的設置 可選功能設置 | |||||
運算功能 | 零/跨度調(diào)整。自動發(fā)射率計算*2。輸出校正 | 零位/跨度調(diào)整、自動發(fā)射率計算、輸出校正 | 零位/跨度調(diào)整、自動發(fā)射率比計算、輸出校正 | ||||
自我診斷 | 設備溫度錯誤、參數(shù)錯誤 | ||||||
選項 | 激光投影功能 | 內(nèi)置半導體激光投影儀,激光為 1 mW 或更小(645 nm)Class 2。(高靈敏度型不能內(nèi)置激光發(fā)射器。) | |||||
模擬輸入 | 輸入信號: 選擇4至20mA發(fā)射率的遠程設置或用于自動發(fā)射率計算的參考溫度輸入設置 | 輸入信號:4 至 20mADC 遠程設置發(fā)射率或選擇參考溫度輸入設置以自動計算發(fā)射率 | |||||
通訊接口 | 發(fā)送 RS-485測量數(shù)據(jù)(小數(shù)點后1位),發(fā)送和接收各設置參數(shù) | ||||||
工作溫度限制 | 5 至 40°C | 0 至 50°C | |||||
額定功率 | 24V DC(允許電壓變動范圍22~28V DC) | ||||||
能量消耗 | 最大 15VA | 最大3VA(約130mA) | |||||
連接方式 | 夾式無螺絲端子連接 | ||||||
安裝方法 | DIN 導軌安裝或壁掛安裝 | ||||||
案例材料 | 鐵盤子 | 樹脂 | |||||
外形尺寸/質(zhì)量 | W140×H110×D65mm,約1.0kg (僅主機) | W90×H90×D60mm,約250g(僅主機) | |||||
符合 CE 標志 | 符合 CE 標志(EMC 指令:EN5501 Group 1 Class A,EN50082-2) |
*1 測量溫度為 70 至 80℃時,校正有效范圍為 ε≒1.0 至 0.8,測量溫度為 80 至 90℃時為 ε≒1.0 至 0.6。
*2 發(fā)射率(比率)通過按鍵設置或可選模擬輸入輸入?yún)⒖驾斎霚囟茸詣佑嬎恪?/span>